「積體電路實務培訓班」課程大綱
授課時數: 297小時 |
實習時數: 63小時 |
總時數: 360小時 |
一、學員應具備能力 |
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•以理工背景為主,有興趣及業務需求者 |
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二、培訓目標 |
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•結業學員可以學到 IC製程、光電方面製程,如:LCD、液晶顯示幕、發光二極體、雷射等產品的應用與製程學習 |
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三、畢業學員就業時可擔任之工作 |
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•積體電路及光電半導體工業工程師 |
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四、必備教學設備 |
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•三槍或單槍投影機、投影機、幻燈機 |
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五、師資及任務 |
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各科教師 •資格,具下列之一: (1) 碩士以上學歷,電機、材料、光電相關科系;(2) 學士以上學歷,曾從事積體電路或半導體等相關規劃、設計或研發工作,具五年以上實務經驗者。(3) 專上院校相關科系講師以上。•每班至少需有 15%以上之時數(含授課及實習)由具有相關業界實務經驗之外聘師資講授。任務: (1) 推薦教科書、製作教材或講義;(2) 設計實習或觀摩內容;(3) 施教及實習指導;(4) 成績考查。導師 資格,同教師資格 人數:每班設導師一名,導師需擔任至少一科目之教學,並為培訓單位之全職人員。 任務: (1) 課表、實習、作息之安排與監督;(2) 協助講義之校對及印發;(3) 學員出勤、考試、專題製作之管考;(4) 學員生活、學習、就業等輔導,學員申訴處理;(5) 其他有關指派工作。助教 實習課程得編列教學助教一名,協助教學。 |
六、講授科目 |
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科目名稱 |
時數分配 |
科目名稱 |
時數分配 |
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授課 |
實習 |
合計 |
授課 |
實習 |
合計 |
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1. 半導體材料與元件物理 |
54 |
0 |
54 |
4. 積體電路設計 |
27 |
27 |
54 |
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2. 半導體材料與元件分析 |
54 |
0 |
54 |
5. 積體電路製程技術 |
54 |
18 |
72 |
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3. 薄膜技術 |
54 |
18 |
72 |
6. 積體電路構裝技術 |
54 |
0 |
54 |
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註:每門科目皆需安排二小時以上與所授科目實務相關之專題演講或工廠參觀。 |
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合 計 |
授課 297小時 |
實習 63小時 |
授課+實習= 360小時 |
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七、能力鑑定 |
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1. 修課時數每位報名學員除非提出證明已修過相同之科目,否則至少需選修三門 2. 考試每門科目,除實習部份,皆需以筆試方式進行考試。 3. 實習評分實習評分項目包括學習之態度、作業繳交之完整與準時。 4. 缺課每門科目缺課時數超過三分之一(含者),該科不予計分。 5. 結業證書研習期滿,及格(每門科目以六十分為及格分數)科目逾三門以上者,將由培訓單位發給結業證書(需註明由職訓局委辦);否則僅發給及格科目之修課證明。 |
八、科目內容、教材與實習設計 |
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科 目 內 容 |
實 習 設 計 |
1. 半導體材料與元件物理a. 結晶構造、鍵結、能帶、和摻雜特性b. 載子傳輸性質c.P-N 接面特性d. 雙載子接面電晶體e. 場效電晶體 |
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2. 半導體材料與元件分析a. 材料顯微分析b. 材料表面分析c. 半導體元件測試d. 元件可靠度分析e. 元件測試分析實務 |
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3. 薄膜技術a. 真空原理與系統操作b. 薄膜成長過程與影響因素c. 分子束磊晶成長技術d. 電子鎗蒸鍍技術e. 離子束輔助蒸鍍f. 濺鍍技術g. 化學氣相成長法h. 薄膜分析方法(結構,組成,電性,光性) |
a. 真空系統操作b. 薄膜製程實務c. 薄膜分析實務
註:實習可以實際操作或以至業界參訪等方式進行。 |
4. 積體電路設計a.CMOS 製程與設計法則b. 輔助設計工具簡介c.CMOS 組合邏輯設計d.CMOS 循序邏輯設計e. 可測試電路設計f. 次系統設計 |
a. 晶片設計實務 |
5. 積體電路製程技術a. 單晶成長與晶圓製作b. 熱氧化-機制與製程參數c. 摻雜-擴散與離子植入法d. 薄膜鍍製e. 快速加熱製程f. 光微影蝕刻製程g. 製程整合 |
a.IC 製程實務b.IC 製程觀摩 |
科 目 內 容 |
實 習 設 計 |
6. 積體電路構裝技術a. 構裝前段製程技術與設備b. 構裝後段製程技術與設備c. 測試技術與設備d. 設計分析技術e. 主動與被動構裝技術f. 組裝技術g.IC 構裝技術發展趨勢h. 構裝技術實務 |
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九、教材:需涵蓋完整授課內容,以教師自編講義為主,合法版權書籍為輔。 |